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碳化硅(SiC)上管Vgs测试不再难，麦科信光隔离探头来帮忙
第三代半导体材料，尤其是碳化硅（SiC）和氮化镓（GaN），在电动汽车、可再生能源、工业电源、快充技术、无线通信、消费电子等领域中展现出巨大的市场前景。这些材料具有高热导率、高击穿场强、高饱和电子漂移速率和高键合能等优点，使其在高温、高压、高频以及抗辐射等恶劣条件下表现出色。这些材料虽然具有显著的性能优势，但开关速度很快的特点也给测试测量带来了不小的挑战。2025-05-07 09:56:25 -
麦科信光隔离探头在碳化硅(SiC) MOSFET动态测试中的应用
碳化硅（SiC）MOSFET 是基于宽禁带半导体材料碳化硅（SiC）制造的金属氧化物半导体场效应晶体管，相较于传统硅（Si）MOSFET，具有更高的击穿电压、更低的导通电阻、更快的开关速度以及更优异的高温和高频性能。2025-05-06 14:15:10 -
是德多通道源表克服LIV测试挑战
垂直腔面发射激光器(VCSEL)是成像、传感技术和数据通信的关键部件。VCSEL的优势之一是能够在制造过程的早期阶段进行晶片级别的测试，相比之下，对其他边缘发射半导体激光器的测试通常在制造周期结束时进行，此时产品已达到生产的最后阶段。这种测试方法允许及早检测组件故障，通过在封装之前识别有缺陷的设备，大大节省了时间和成本。2023-08-25 15:56:21 -
如何快速测试半导体器件I/V特性？
电子测量仪器作为基础科研工具，是国家科研自主可控的重要环节。在半导体器件、超导材料和光电器件等测试领域中，为了更全面地检测器件特性，提升整个测试系统的效率，往往对供给电源和测量同步性方面有更严苛的要求。东方中科为您推荐更加便捷的国产测试解决方案，无需上位机软件，可直接在仪器界面设置并生成半导体元件如二极管、三极管、MOS管、IGBT等IV特性曲线，并可以直接调用常用器件库，帮您快速完成测试。2023-03-02 09:48:44 -
激光器测试
激光器测试对供电源有着极高的要求，为恒流供电方式。传统的电源，默认为CV环路优先，启动瞬间抑制电流过冲速度较慢。ITECH多系列可编程直流源具备CC/CV优先权功能，用户可根据测试需求调节环路速度，选择CV模式电压高速的测试场景，或是CC优先模式电流无过冲的场景。2022-11-30 11:34:11 -
半导体分立器件性能实验
半导体分立器件一般泛指半导体二极管、晶体管、晶闸管， 是构成电力电子变化装置的核心器件之一， 主要用于电力电子设备的整 流、稳压、开关、混频等， 在消费电子、汽车电子、电子仪器仪表、工业及自动控制、计算机及周边设备、网络通讯等众多国民经济领 域均有广泛、大量的应用。2022-11-28 19:28:26 -
IGBT与三代半导体SiC双脉冲测试方案
日前，基于SiC和GaN的第三代半导体技术蓬勃发展，其对应的分立器件性能测试需求也随之而来。其较高的dv/dt与di/dt给性能测试带了不少困难。泰克的TIVP系列光隔离探头，以其优越的160dB共模抑制比，超低的前端电容，丰富的连接方式，搭配便捷的AFG31000双脉冲输出功能，加速三代半导体测试流程。2022-04-06 14:28:21 -
多点位/纳安级漏电流测试解决方案
随着产线产量的增加，许多用户端采用的测试方式具有成本高、效率低的缺点，为了降低成本、提高能效，东方中科提供的多端口测试方案可解决这一难题。2022-02-15 14:48:47
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